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2017年12月7日-北京,存儲技術(shù)和解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ:WDC)日前宣布推出全新先進(jìn)的iNAND®嵌入式閃存盤(EFD),使智能手機(jī)用戶能夠充分發(fā)揮當(dāng)前數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用的潛力,提升使用體驗(yàn)。借助西部數(shù)據(jù)的64層3DNAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù),新型的智能iNAND®8521和iNAND®7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲

2017-12-11 09:48:00 · 安防展覽網(wǎng) 閱讀:289
2017年12月7日-北京,存儲技術(shù)和解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ:WDC)日前宣布推出全新先進(jìn)的iNAND®嵌入式閃存盤(EFD),使智能手機(jī)用戶能夠充分發(fā)揮當(dāng)前數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用的潛力,提升使用體驗(yàn)。借助西部數(shù)據(jù)的64層3DNAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù),新型的智能iNAND®8521和iNAND®7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲
2017年12月7日-北京,存儲技術(shù)和解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ:WDC)日前宣布推出全新先進(jìn)的iNAND®嵌入式閃存盤(EFD),使智能手機(jī)用戶能夠充分發(fā)揮當(dāng)前數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用的潛力,提升使用體驗(yàn)。借助西部數(shù)據(jù)的64層3DNAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù),新型的智能iNAND®8521和iNAND®7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲。當(dāng)該產(chǎn)品用于智能手機(jī)和輕薄型計(jì)算設(shè)備中時(shí),他們可以為以數(shù)據(jù)為中心的大量應(yīng)用加速,包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗(yàn),當(dāng)然還有新興的終端人工智能(AI)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)體驗(yàn)。

    數(shù)據(jù)量、數(shù)據(jù)的產(chǎn)生速度、多樣化和其帶來的價(jià)值都持續(xù)呈指數(shù)級增長和演變,包括大數(shù)據(jù)、快速數(shù)據(jù)和個(gè)人數(shù)據(jù)各個(gè)方面。全球眾多消費(fèi)者都將在智能手機(jī)上體驗(yàn)到這些數(shù)據(jù)的整合。

    CounterpointResearch智能設(shè)備及生態(tài)系統(tǒng)研究總監(jiān)閆占孟先生表示:“我們預(yù)計(jì)到2018年末,全球每部智能手機(jī)的平均存儲容量將攀升到超過60GB,用以支持由設(shè)備上人工智能和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)所帶來的日益增多的豐富多媒體內(nèi)容和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)體驗(yàn)。這推動(dòng)了我們向先進(jìn)的3DNAND嵌入式閃存解決方案演進(jìn),從而進(jìn)一步推動(dòng)這些豐富的體驗(yàn)?!?

    西部數(shù)據(jù)公司嵌入式和集成解決方案副總裁ChristopherBergey表示:“除了360度視頻和多鏡頭攝像頭,移動(dòng)應(yīng)用中人工智能的出現(xiàn)提供了更加沉浸式的體驗(yàn),將把智能手機(jī)以數(shù)據(jù)為中心的特點(diǎn)提升到新的水平。我們創(chuàng)新的新型iNAND解決方案推動(dòng)數(shù)據(jù)在高度密集的移動(dòng)應(yīng)用和體驗(yàn)中繁榮。我們將西部數(shù)據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的X33DNAND技術(shù)、與新款增強(qiáng)的獨(dú)特應(yīng)用感知型SmartSLC技術(shù)相結(jié)合,為客戶提供了我們智能的高性能iNAND設(shè)備。這些iNAND系列的全新解決方案使得我們能夠繼續(xù)從容應(yīng)對全球變化多端的移動(dòng)市場中日益提高的移動(dòng)數(shù)據(jù)需求?!?

    iNAND8521嵌入式閃存盤-滿足旗艦移動(dòng)設(shè)備在5G網(wǎng)絡(luò)中的性能需求

    iNAND8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計(jì),采用UFS2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機(jī)的上一代iNAND移動(dòng)解決方案iNAND7232嵌入式閃存盤,這次的iNAND8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達(dá)10倍的隨機(jī)寫入速度2。通過快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求,它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實(shí)游戲,并且快速下載高清電影。此外,當(dāng)服務(wù)提供商向5G網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)時(shí),iNAND8521嵌入式閃存盤卓越的數(shù)據(jù)傳輸速度還將允許移動(dòng)用戶利用更快的Wi-Fi和網(wǎng)絡(luò)增強(qiáng)功能。

 《閃迪iNAND8521UFS嵌入式閃存盤》

《閃迪iNAND8521UFS嵌入式閃存盤》

    iNAND7550嵌入式閃存盤-適用于靈敏的高容量主流智能手機(jī)

    iNAND7550嵌入式閃存盤幫助移動(dòng)設(shè)備制造商打造存儲空間充足且具有高性價(jià)比的智能手機(jī)和計(jì)算設(shè)備,以滿足消費(fèi)者不斷增長的存儲需求,同時(shí)提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗(yàn)。iNAND7550嵌入式閃存盤基于e.MMC5.1規(guī)范,是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案,可提供高達(dá)260MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0KIOPS和15KIOPS的隨機(jī)讀/寫性能3,更有助于同時(shí)加快自身和應(yīng)用啟動(dòng)的速度。

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